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IRFI644G

IR/VISHAY Semiconduttori discreti transistor TO-220F

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Mezzi sociali

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IR/VISHAY Semiconduttori discreti transistor TO-220F

Gli ordini superiori a $ 200 hanno diritto a un regalo in stile cinese in edizione limitata.

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Gli ordini superiori a $ 5000 beneficiano dell'esenzione dalle spese di spedizione e di transazione.

Queste offerte sono applicabili sia ai clienti nuovi che a quelli esistenti e sono valide dal 1 gennaio 2024 al 31 dicembre 2024.

  • Produttore：

    IR/VISHAY

  • Scheda dati：

    IRFI644G datasheet

  • Pacchetto/custodia：

    TO-220F

  • categoria di prodotto：

    transistor

  • RoHS Status：

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Azione：4216 PCS

Il nostro impegno è fornire preventivi tempestivi entro 12 ore. Per ulteriore assistenza, contattaci all'indirizzo sales@censtry.com.

IRFI644G Dettagli del prodotto

FEATURES 

• Isolated Package 

• High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) 

• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm 

• Dynamic dV/dt Rating 

• Low Thermal Resistance 

• Lead (Pb)-free Available

DESCRIPTION 

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. 

The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applications. The moulding compound used provides a high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external heatsink. The isolation is equivalent to using a 100 micron mica barrier with standard TO-220 product. The FULLPAK is mounted to a heatsink using a single clip or by a single screw fixing.


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Direzione：

Power MOSFET

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