RF Amplifier GaN MMIC Power Amp
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RF Amplifier GaN MMIC Power Amp
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Cree
CMPA2735075F datasheet
SMD
Amplificatore Ics
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Features
• 29 dB Small Signal Gain
• 76 W Typical PSAT
• 28 V Operation
• High Breakdown Voltage
• High Temperature Operation
• 0.5" x 0.5" Total Product Size
Applications
• Civil and Military Pulsed Radar Amplifiers
Description
Cree’s CMPA2735075F1 is a gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) based monolithic microwave integrated circuit (MMIC). GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity and higher thermal conductivity. GaN HEMTs also offer greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. This MMIC contains a two-stage reactively matched amplifier design approach enabling very wide bandwidths to be achieved.
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Cree
10 PCS
SCD10060A .PDF
CREE
4432 PCS
CXA1512-0000-000N0UJ250F^CREE .PDF
Cree
2485 PCS
CXA1304-0000-000F0Y8227F .PDF
CREE
2039 PCS
CXA1304-0000-000C00A227F^CREE .PDF
2024-05-05
They are very good goods. Thank you!!
2024-05-04
Fast and good as always, thanks!
2024-05-04
Excelent! Everything arrived OK!
2024-05-03
Very fast! Thank you!
2024-05-01
tested, everything ok
2024-04-27
Todo excelentemente bien
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