Flash memory is an electronic non-volatile computer memory storage medium that can be electrically erased and reprogrammed. The two main types of flash memory are named after the NAND and NOR logic gates. The individual flash memory cells, consisting of floating-gate MOSFETs , exhibit internal characteristics similar to those of the corresponding gates.A flash memory device typically consists of one or more flash memory chips (each holding many flash memory cells) along with a separate flash memory controller chip.
Numero di parte | Densità | Org. | Velocità | ricaricare | Pacchetto | Fabbrica | Operazione |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Numero di parte H8BES0UU0MCR-46M | Densità 4G | Org | Velocità | ricaricare | Pacchetto BGA PB | Fabbrica Hynix | Richiesta di offerta |
Numero di parte H9DA4GH2JCMMCR-4EM | Densità 4G | Org | Velocità | ricaricare | Pacchetto BGA | Fabbrica Hynix | Richiesta di offerta |
Numero di parte KBY00U00VM-B450 | Densità 8G | Org 64M×32 | Velocità | ricaricare | Pacchetto BGA | Fabbrica Samsung | Richiesta di offerta |
Numero di parte KA1000015D-BJTT | Densità 4G | Org | Velocità | ricaricare | Pacchetto BGA | Fabbrica Samsung | Richiesta di offerta |
Numero di parte KA1000015B-BJTT | Densità 4G | Org | Velocità | ricaricare | Pacchetto BGA | Fabbrica Samsung | Richiesta di offerta |
Numero di parte KA1000015E-AJTT | Densità 4G | Org | Velocità | ricaricare | Pacchetto BGA | Fabbrica Samsung | Richiesta di offerta |
Numero di parte K5E1G12ACC-D075 | Densità 1G | Org | Velocità | ricaricare | Pacchetto BGA | Fabbrica Samsung | Richiesta di offerta |
Numero di parte K521H12ACJ-B050 | Densità 1G | Org | Velocità | ricaricare | Pacchetto BGA | Fabbrica Samsung | Richiesta di offerta |
Numero di parte MT29C1G12MAACVAKC-5IT | Densità 1G | Org 32M×16 | Velocità | ricaricare | Pacchetto BGA | Fabbrica Micron | Richiesta di offerta |
Numero di parte MT29C1G12MAADAFAKD-6E IT | Densità 1.5G | Org | Velocità | ricaricare | Pacchetto | Fabbrica Micron | Richiesta di offerta |
Numero di parte MT29C1G12MAVRAJA-6 IT | Densità 1G | Org | Velocità | ricaricare | Pacchetto BGA | Fabbrica Micron | Richiesta di offerta |
Numero di parte MT29C1G12MAVTAJA-75 IT | Densità | Org 1G×16 | Velocità | ricaricare | Pacchetto | Fabbrica Micron | Richiesta di offerta |
Numero di parte MT29C1G12MADRAHP-75IT | Densità | Org 64M×16 | Velocità | ricaricare | Pacchetto | Fabbrica Micron | Richiesta di offerta |
Numero di parte K5L2833ATA | Densità 128M | Org | Velocità | ricaricare | Pacchetto BGA | Fabbrica Samsung | Richiesta di offerta |
Numero di parte H8BCZOCHOAMR-5EM-C | Densità 512M | Org | Velocità | ricaricare | Pacchetto | Fabbrica Hynix | Richiesta di offerta |
Numero di parte HYG0UEG0MF2P | Densità 512M | Org | Velocità | ricaricare | Pacchetto BGA | Fabbrica Hynix | Richiesta di offerta |
Numero di parte S98WS01GPF0FW003 | Densità 512M | Org | Velocità | ricaricare | Pacchetto BGA | Fabbrica spansion | Richiesta di offerta |
Numero di parte K5D12571ACF-D090 | Densità 512M | Org | Velocità | ricaricare | Pacchetto | Fabbrica Samsung | Richiesta di offerta |
Numero di parte H8ACS0CE0ABR | Densità 512M | Org | Velocità | ricaricare | Pacchetto BGA | Fabbrica Hynix | Richiesta di offerta |
Numero di parte H8BCS0UM0MER-4EM | Densità 4G+2G | Org | Velocità | ricaricare | Pacchetto BGA | Fabbrica Hynix | Richiesta di offerta |